03 Мая 2024, ПТ, 08:08
              

Купить транзисторы и резисторы в Москве

Выгодно приобрести транзисторы в Москве можно через онлайн-магазин компании «АльянсТехно», входящей в число крупных отечественных поставщиков современных полупроводников и иных электронных элементов. Она может предложить многие тысячи востребованных изделий безупречного качества российского и зарубежного производства. При необходимости компетентные менеджеры помогут с поиском аналогов. Заодно напомним, что в РФ есть десятки предприятий, выпускающих радиодетали высочайшего уровня. Например, «Искра», структурно входящее в концерн «Алмаз-Антей».

О резисторах

Первый прецизионный (высокоточный) резистор был изобретен и запатентован только в 1959-м году американцем О.Бойкиным, хотя, сам принцип его функционирования был известен еще в XIX веке. Именно тогда впервые стало известно о наличии в материальном мире проводников, полупроводников и диэлектриков. Другим словами, структур с разной проводимостью, обратная величина которой получила название «резистори» или «сопротивление».

В наши дни резисторы в Москве можно приобрести в максимально полной классификационной номенклатуре. Речь идет о прецизионных, высокочастотных, высоковольтных, высокоомных модификациях, которые в свою очередь могут быть переменными и постоянными, а также проволочными либо непроволочными. В первом случае их делают из нихрома, никеля или константана, а во втором – из пленок, намотанных на жаропрочные основания, например, на керамику. Среди дополнительных характеристик нужно выделить теплостойкость, вибростойкость, ударопрочность и высоконадежность.

Логично предположить, что за две сотни лет, прошедшие после оглашения закона Г.С.Ома, были созданы материалы с различной проводимостью и физическими свойствами. В результате появились новые типы резисторов. Здесь можно говорить о варисторах, терморезисторах, фоторезисторах, тензорезисторах, мемристорах и магниторезисторах.

В частности, «мемристоры» - существующие пока еще на уровне прототипов - меняют сопротивление в зависимости от количества электронов, пропущенных через себя.